10月31日，安森美宣布推出一項突破性的功率半導體技術——垂直氮化鎵（vGaN）功率半導體，這一創新產品在降低能量損耗方面成效顯著，為AI和電氣化時代樹立了在能效、功率密度和耐用性方面的新標桿。
圖源：安森美
在超高壓器件領域，安森美的垂直氮化鎵（vGaN）采用GaN-on-GaN技術，實現了電流垂直流過芯片，而非傳統的沿表面橫向流動。這種創新的電流傳導方式是降低能量損耗和熱量的關鍵所在。
當下，人工智能數據中心、等高能耗應用領域對能源的需求日益增長，對功率密度、效率和耐用性也提出了更高要求。安森美的垂直氮化鎵功率半導體適時推出，為這些領域帶來了新的解決方案。
目前，安森美已向早期客戶提供700V和1200V器件樣品。該技術由安森美位于紐約州錫拉丘茲的晶圓廠研發制造，企業擁有超130項全球專利，覆蓋垂直GaN技術的眾多方面。
安森美半導體企業戰略高級副總裁Dinesh Ramanathan表示，垂直氮化鎵技術將改變行業格局，鞏固安森美在能效和創新領域的領先地位。在電氣化和人工智能重塑各行業的當下，能效成為關鍵競爭因素，垂直氮化鎵技術納入功率產品組合，為客戶實現卓越性能提供了有力工具。
安森美垂直氮化鎵技術旨在處理單片芯片中的高電壓（1200伏及以上），能在高頻下高效切換大電流。基于該技術構建的高端電源系統能降低近50%的能量損耗，同時因其更高的工作頻率，因而電容器和電感等被動元件尺寸可縮減約一半。而且，與目前市售的橫向GaN器件相比，垂直氮化鎵器件的體積約為其三分之一。